Peneliti dari Georgia Institute of Technology mempresentasikan inovasi memori ferroelectric NAND flash yang mampu bertahan dari paparan radiasi hingga 1 juta rads.

Temuan ini dipublikasikan pada 18 Mei 2026.

>>> Daftar Artis Naik Haji 2026: Raffi Ahmad hingga Anang-Ashanty

Memori elektronik konvensional biasanya rusak di orbit rendah bumi setelah menerima akumulasi radiasi sekitar 30.000 rads.

Ketahanan memori baru tersebut setara dengan paparan 100 juta sinar-X medis berturut-turut pada cip yang sama.

Kemampuan ini menempatkan teknologi penyimpanan tersebut ke dalam standar kebutuhan misi luar angkasa NASA yang melintasi Jupiter, seperti Europa Clipper dan misi-misi masa depan.

Teknologi Hafnium Oxide 10 Nanometer

Teknologi inovatif ini menggunakan lapisan tipis material hafnium oxide berukuran 10 nanometer untuk menyimpan data berdasarkan polarisasi di tingkat atom.

Pendekatan ini berbeda dari NAND konvensional yang menggunakan muatan listrik terperangkap dalam transistor.

Struktur tersebut membuat memori resisten terhadap hantaman langsung partikel pengion dari radiasi luar angkasa tanpa kehilangan informasi digital.

Material hafnium oxide telah diintegrasikan ke dalam manufaktur cip komersial sejak 2007 dan dapat disusun dalam struktur tiga dimensi seperti teknologi 3D NAND modern.

>>> Akui Lalai, Sutradara Perfect Crown Klarifikasi sampai Nangis

Inovasi ini dikembangkan melalui kolaborasi teknis antara Georgia Tech, NaMLab di Jerman, dan Goddard Space Flight Center milik NASA.

NaMLab merupakan pionir pemanfaatan ferroelectric hafnium oxide.

Mengatasi Keterbatasan Metode Konvensional

Sektor elektronika antariksa selama ini mengandalkan perlindungan fisik berupa kubah aluminium tebal, memori komersial pra-kualifikasi radiasi, dan sistem redundansi modular rangkap tiga.

Metode konvensional tersebut terbentur batas kapasitas muatan karena menambah bobot peluncuran dan mengonsumsi daya listrik lebih besar.

Selain itu, metode tersebut tidak mampu menahan radiasi di atas 300.000 rads.

Pengujian dampak sinar gamma terhadap cip memori dilakukan di fasilitas akselerator universitas untuk memastikan performa pembacaan data tetap akurat.

>>> Sinopsis U.S. Marshals, Bioskop Trans TV 20 Mei 2026

Publikasi lengkap mengenai hasil riset ferroelectric NAND flash ini telah dirilis dalam format terbuka di server American Chemical Society.