Samsung dikabarkan tengah mengembangkan RAM berteknologi High Bandwidth Memory (HBM) untuk smartphone dan tablet. Langkah ini bertujuan meningkatkan kemampuan perangkat mobile dalam menangani tugas kecerdasan buatan (AI).

HBM menawarkan kecepatan lebih tinggi dan efisiensi daya yang lebih baik dibandingkan RAM tradisional. Teknologi ini biasanya digunakan di server atau GPU kelas atas untuk memproses komputasi berat.

>>> Daftar Line Up Penampil Jogja Financial Festival 2026

Kini, Samsung berencana membenamkan teknologi tersebut ke perangkat mobile. DRAM konvensional pada smartphone saat ini masih menggunakan metode pengikat kawat tembaga (copper wire bonding).

Metode pengikat kawat tembaga memiliki keterbatasan jumlah jalur input-output (I/O). Hal ini menyebabkan efisiensi transfer data dan pengendalian panas kurang optimal.

Solusi Teknologi FOWLP dan VCS

Untuk mengatasi keterbatasan tersebut, Samsung akan menggunakan teknologi Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP). Metode ini juga diterapkan pada chipset seperti Exynos 2600.

FOWLP dinilai dapat meningkatkan ketahanan panas perangkat. Teknologi ini menjaga performa tetap stabil saat menjalankan beban kerja berat, termasuk pemrosesan AI.

Samsung juga mengembangkan teknologi Vertical Copper Post Stack (VCS). Melalui VCS, chip DRAM disusun bertingkat dan dihubungkan menggunakan pilar tembaga berukuran sangat kecil.

Pendekatan ini memungkinkan peningkatan bandwidth memori secara signifikan. Solusi ini cerdas mengingat ruang di dalam smartphone sangat terbatas.

Menurut laporan ETNews, rasio tinggi pilar tembaga dalam VCS melonjak drastis. Rasionya meningkat dari sekitar 3-5:1 menjadi 15-20:1.

Penggunaan FOWLP juga diklaim dapat meningkatkan jumlah terminal I/O. Penerapan sistem ini mampu mendongkrak bandwidth hingga 30 persen lebih tinggi.

Tantangan Struktur Mikro

Meski menjanjikan, teknologi baru ini menghadirkan tantangan tersendiri. Pilar tembaga yang terlalu kecil berisiko bengkok atau patah jika diameternya di bawah 10 mikrometer.