Samsung Kembangkan Teknologi 3D Stacked FET untuk Chip Generasi Berikutnya
Jumat / 19-06-2026, 13:05 WIB
Samsung Electronics mengumumkan pengembangan teknologi 3D Stacked FET yang memungkinkan pembuatan chip semikonduktor yang lebih kecil, padat, dan bertenaga. Teknologi ini dipresentasikan di VLSI Symposium 2026 dan meraih Best Paper.
