Samsung dilaporkan tengah mengembangkan RAM berteknologi High Bandwidth Memory (HBM) yang dirancang khusus untuk smartphone dan tablet.

Langkah ini diambil untuk meningkatkan kemampuan perangkat dalam menjalankan tugas berbasis kecerdasan buatan (AI).

>>> Samsung Kembangkan RAM HBM Khusus untuk Tingkatkan Kinerja AI Smartphone

Teknologi HBM dikenal menawarkan kecepatan lebih tinggi dan efisiensi daya yang lebih baik dibandingkan RAM tradisional.

Selama ini, memori jenis tersebut umum digunakan pada server atau GPU kelas atas untuk komputasi berat.

Tantangan RAM Tradisional dan Solusi Teknis

DRAM konvensional pada perangkat mobile menggunakan pengikat kawat tembaga (copper wire bonding) yang memiliki keterbatasan jumlah jalur input-output (I/O).

Keterbatasan ini membuat transfer data dan pengendalian suhu panas kurang optimal.

Untuk mengatasi masalah tersebut, Samsung disebut akan menerapkan teknologi Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP). Metode ini juga telah diaplikasikan pada chipset Exynos 2600.

FOWLP dinilai mampu meningkatkan ketahanan panas dan menjaga performa gawai tetap stabil saat menjalankan beban kerja berat. Selain itu, Samsung juga mengembangkan teknologi Vertical Copper Post Stack (VCS).

Melalui VCS, chip DRAM disusun bertingkat menyerupai tangga dan dihubungkan menggunakan pilar tembaga berukuran sangat kecil.

Pendekatan ini memungkinkan peningkatan bandwidth memori secara signifikan di tengah keterbatasan ruang komponen.

Laporan ETNews menyebut rasio tinggi pilar tembaga dalam VCS meningkat drastis dari 3-5:1 menjadi 15-20:1.

Sementara itu, penggunaan FOWLP diklaim mampu meningkatkan jumlah terminal I/O dan mendongkrak bandwidth hingga 30 persen.

>>> Daftar Line Up Penampil Jogja Financial Festival 2026

Meski demikian, implementasi teknologi ini menghadirkan tantangan teknis. Pilar tembaga yang terlalu kecil berisiko bengkok atau patah jika diameternya di bawah 10 mikrometer.